Når Qualcomm kunngjorde sin prosessor, se Snapdragon 835, snakket også om den nye teknologien Hurtiglading 4.0 som skulle forbedre den allerede utmerkede Quick Charge 3.0. Spesielt Quick Charge 4.0 måtte garantere kortere ladetider nå opp til en 50 % med bare 15 minutters lading, samt integrering av tredje generasjon av INOV-teknologi (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage) som er i stand til å tilpasse strømmen som leveres av strømforsyningen, samtidig som den tilpasser temperaturene og den maksimale spenningen som støttes av enheten som lades.
Som nevnt i begynnelsen, integrerer Snapdragon 835-prosessoren den nye Quick Charge 4.0-teknologien med en toppeffekt opp til 27W, men tilsynelatende er ladestandarden fortsatt fast på siste generasjon. Faktisk, i testene som er utført til dags dato, på smarttelefoner som har gleden av å integrere det nye Qualcomm-brikkesettet, Xiaomi Mi 6 det er det han kan utnytte det bedre potensialet til den nye ladestandarden når den når en toppeffekt på 24W mens Samsung Galaxy S8 når bare 18W.
Tilsynelatende har Qualcomms uttalelser ikke vært sannferdige til nå, da selskapet har gjort det kjent i en ny pressemelding at Quick Charge 4.0 vil være tilgjengelig i midten av dette året og det vil se lyset med en ny smarttelefon hvorav han imidlertid ikke avslørte spesifikke merke og modell. Uansett er det hyggelig at vår elskede Xiaomi Mi 6 gir den nåværende toppen av serien mye trøbbel, slik at du også kan bli en del av fansen av den nye juvelen laget i Xiaomi.
La oss sammenligne og diskutere det i vår Facebook-gruppe dedikert til Xiaomi Mi6. Vi venter på deg!
